Este estándar lleva un importante retraso en su lanzamiento, ya que han estado trabajando en él desde el 2005, dos años antes del lanzamiento de DDR3.
La intención original era tener la arquitectura terminada para el 2008 y la especificación final para mediados del 2011, pudiendo comercializarla pocos meses después.
Los años pasaron con sucesivas especulaciones sobre reducir aún más el voltaje requerido y aumentar la frecuencia de trabajo. Cada informe presentaba especificaciones y plazos distintos para cada una, que rondaban entre el 2011 y el 2015.
Finalmente, la ISSCC (Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido) que acaba de celebrarse en San Francisco, fue el lugar ideal para anunciar la salida real al mercado del nuevo estándar en memorias SDRAM.
Fueron precisamente Hynix y Samsung las dos compañías que presentaron sus nuevas memorias.
El chip de Hynix presenta una frecuencia de trabajo de 2400MHz, mientras que el de Samsung trabaja a 2133MHz. Ambas frecuencias superan por mucho al máximo soportado en DDR3 y aún así, se espera que aumenten en velocidad en los próximos años.
Mientras Hynix utiliza una arquitectura de 38nm, Samsung logró reducirla a 30nm.
Un punto altamente destacable es la reducción en el consumo energético, un factor muy importante en estos días y que está siendo tomado muy en cuenta por las grandes compañías de hardware. Ambas memorias requieren una tensión de 1,2V para trabajar, a diferencia de los 1,3V y 1,5V de DDR3, y llegan a consumir 40% menos energía, a pesar de ser mucho más rápidos.
Como suele ocurrir con cada nueva versión del estándar, DDR4 no será compatible con los zócalos para DDR3, por lo que su comercialización depende también de los fabricantes de motherboards, que se espera que tengan líneas de nuevos modelos soportando el estándar para mediados de 2013, pudiendo tener una producción masiva y una adopción en el mercado de DDR4 para el 2014.
